问题现象是使用高云的GW1N系列的FPGA的时候,在第三方开发板(Tang Nano)上烧录SRAM与内部Flash都是正常的,但是在我自己的板子上,只能烧录SRAM,内部Flash无法烧录,会报错,类似下图:

AAC·2022-04-07·2269 次阅读
问题现象是使用高云的GW1N系列的FPGA的时候,在第三方开发板(Tang Nano)上烧录SRAM与内部Flash都是正常的,但是在我自己的板子上,只能烧录SRAM,内部Flash无法烧录,会报错,类似下图:
除了这个Configuration Failed Or JTAG used as regular IOs报错以外,偶尔还会遇到POR Down的报错.
后来查阅各种高云的文档&实验后发现,是因为FPGA的MODE管脚的下拉电阻阻值太大造成的.
上图中的R15,R20板子上焊的是100K,但第三方的开发板是10K,故导致上电时FPGA配置状态下读取MODE电平不稳定,导致无法正常下载,将R15,R20更换为较小阻值的电阻即可解决问题.
PS:后面又发现如果烧录器与被烧录板的接地不良也有可能会导致烧录失败,比如上面我用的是Sipeed的Tang Nano开发板来做烧录器,而且没有直接接烧录器的GND到被烧录板上,是靠各自的USB连接到我的电脑上来共地的,则会导致不稳定,用一根地线连接这两个板子就OK了.
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